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电解铜箔界面工程突破
Aug 6th,2025
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5G基板表面调控
- 电沉积优化：
聚二硫二丙烷磺酸钠促进（110）晶面生长，脉冲电源（12A/dm²×10ms + 0.5A/dm²×1ms）。
→ 铜箔粗糙度Rz=0.35μm（原1.8μm）。
- 微弧氧化强化：
生成50nm铬掺杂氧化铜层，剥离强度从0.8kN/m跃升至1.5kN/m。
→ 毫米波传输插损仅0.19dB/cm（28GHz）。
动力电池铜箔强化
- 纳米孪晶技术：
-196℃液氮深冷 + 10⁵s⁻¹应变速率异步轧制。
→ 抗拉强度485MPa（延伸率18.5%）。
- 安全性能验证：
电池热失控蔓延时间从5分钟延长至18分钟（宁德时代穿刺实验）。
